Дипломна робота Механізм розсіювання дірок в р - GaSb при Т = 296 К в широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду
Код роботи: 4117
Вид роботи: Дипломна робота
Предмет: Оптоелектроніка
Тема: Механізм розсіювання дірок в р - GaSb при Т = 296 К в широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду
Кількість сторінок: 95
Дата виконання: 2017
Мова написання: українська
Ціна: 2200 грн
ВСТУП
РОЗДІЛ 1. ТЕОРЕТИЧНА ЧАСТИНА
1.1. Концентрація носіїв заряду у напівпровідниках
1.2. Інтеграли Фермі
1.2.1. Невироджені напівпровідники
1.2.2. Вироджені напівпровідники
1.2.3. Рівень Фермі у власному напівпровіднику
1.2.4. Напівпровідник з домішками одного типу
1.2.5. Компенсовані напівпровідники
1.3. Термоелектрорушійна сила у напівпровідниках
1 3.1. Виведення коефіцієнту термо - Е.Д.С. з кінетичного рівняння
1.4. Головні механізми розсіювання носіїв заряду у напівпровідниках
1.4.1. Розсіювання носіїв заряду на іонізованих домішках
1.4.2. Розсіювання на нейтральних домішках
1.4.3. Розсіювання на теплових коливаннях атомів кристалічної решітки
1.4.4. Розсіювання на домішкових атомах
1.5. Зонна структура антимоніду галію. Особливості будови валентної зони
РОЗДІЛ 2. ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНА ЧАСТИНА
2.1. Електричні властивості р - GaSb
2.2. Одержання зразків антимоніду галію
2.3. Методика вимірювання коефіцієнта Холла, питомої електропровідності та термоелектрорушійної сили
2.4. Методика визначення переважного механізму розсіювання в р - GaSb
2.5. Механізм розсіювання дірок в р - GaSb при Т = 296 К
ВИСНОВКИ
ПЕРЕЛІК ПОСИЛАНЬ
Антимонід галію є одним з найважливіших матеріалів для для інфрачервоної оптелектроніки – світло діодів, лазерів та фотоперетворювачів. Дана робота присвячена дослідженню впливу якості GaSb на властивості фотоелементів.
За рахунок низької швидкості поверхневої рекомбінації в антимоніді галію існує можливість виготовлювати фотоелектричні перетворювачі дифузією Zn. Якість створених таким чином напівпровідникових пристроїв в значній мірі залежить від досконалості монокристалів. У зв’язку з цим, на перший план виходить необхідність отримання.
Монокристали антимониду Галію використовуються у виробництві різноманітних оптоелектронних приладів (фотоприймачів, світлодіодів, лазерів, в тому числі, квантово - каскадних) «середнього» ІЧ - діапазону (довжини хвиль 2 - 4 мкм), що використовуються в наукових дослідженнях, для екологічного моніторингу (сенсори різноманітних хімічних сполук в газовій атмосфері) і у військовій техніці. Ще одна область застосування - виробництво термофотовольтаіческіх приладів, що перетворюють енергію випромінювання теплових джерел в ІЧ - діапазоні спектра в електричну.
Фотоелектричні перетворювачі на основі антимоніду Галію знайшли широке використання в каскадних сонячних елементах, наприклад, GaAs/GaSb або GaInP/GaSb і термофотоелектричних генераторах. Перспективним є також їх використання в системах з розщепленням сонячного випромінювання в якому світловий потік розділений оптичними фільтрами на спектральні діапазони для наступного перетворення розділеними фотоелементами.
Викладене вище обумовило вибір теми дипломної роботи: «Механізм розсіювання дірок в р - GaSb при Т = 296 К в широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду».
Об’єкт дослідження - антимонід (стибід) галію.
Предмет дослідження - електрофізичні властивості GaSb.
Мета дослідження - визначення ефективних мас дірок в антимоніді галію при Т = 296 К в широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду.
Для реалізації поставленої мети необхідно виконати такі завдання:
1) опрацювати теоретичний матеріал (вітчизняні та зарубіжні літературні джерела) з даної теми;
2) визначити та проаналізувати електричні властивості р - GaSb;
3) дослідити механізм розсіювання дірок в антимоніді галію за допомогою розрахунку коефіцієнта Холла питомої електропровідності та термоелектрорушійної сили;
4) порівняти експериментальні величини рухливості дірок з теоретичними розрахунками.
Робота складається з: вступу, двох розділів, висновків та використаної літератури.
Отже, у власних напівпровідниках електропровідність буде складатись з двох компонентів – електронної і діркової при однаковій кількості вільних електронів і дірок.
При визначенні концентрації носіїв нам вдалося обійтися без рівня Фермі. Однак для знаходження закону розподілу носіїв по енергії та вирішення інших завдань необхідне знання положення рівня Фермі на енергетичних (зонних) діаграмах.
Із виразу для рівня Фермі видно, що якщо та сильно відрізняються по величині, то при підвищенні температури рівень Фермі може наблизитись до зони легких носіїв на віддаль порядку , або навіть опинитися всередині зони. Тому такі напівпровідники при нагрівання можуть стати виродженими.
Процес розсіювання являє собою викривлення траєкторії руху носія заряду під впливом сил, що діють на електрон чи дірку з боку розсіювального центру.
Усі три методи розрахунку призводять до зонних структур, узгоджених в розумвих межах (0,2 - 0,5 ев). Перевага методу функції Грина перед двома іншими полягає в тому, що він дозволяє отримати ЗОНИ d - типу (Г12 і Г15; при k = 0), які в ZnS і інших з'єднаннях І - VI розташовані над валентною зоною s - типу.
Опромінення призводить до закріплення рівня Фермі в "граничному" положенні Flim поблизу стелі валентної зони в з'єднаннях InSb та GaSb, що обумовлено особливостями енергетичних зонних спектрів даних напівпровідників, а саме, високими значеннями спін - орбітального розщеплення їх валентних зон по відношенню до величини мінімальної забороненої зони. Це призводить до "виштовхування" стелі валентної зони в напрямку рівня Flim, що і визначає р - тип провідності опроміненого матеріалу.
Встановлено, що радіаційні дефекти, як і термодефекти, кристали InSb та GaSb відповідальні за p–тип провідності матеріалу, а в разі GaSb такими властивостями володіють і ростові дефекти. Такі особливості сполук (In,Ga) - Sb обумовлені тим, що їх "нейтральна" точка, тотожна рівнем Flim, розташовується поблизу стелі валентної зони даних сполук, що обумовлює високу ефективність утворення власних дефектів з енергетичними рівнями в нижній половині забороненої зони кристала.
Аналіз літературних даних свідчить про те, що для хімічної обробки GaSb запропоновано не дуже велику кількість травильних композицій, які можна використовувати для хімічного полірування поверхні вказаних напівпровідників.
До складу багатьох досліджуваних травників входить нітратна та хлоридна, бромідна або фторидна кислоти. Але механізм і кінетика гетерогенних процесів розчинення GaSb в розчинах цих травильних композицій не були досліджені достатньою мірою. Відсутність таких експериментальних даних не давала можливості оптимізовувати склади травильних композицій та методики полірування поверхні GaSb.
Антимонід галію (стибид галію) — хімічна сполука галію і сурми. Хімічна формула — GaSb. Являє собою світло - сірі кристали з металевим блиском.
Отримують GaSb сплавленням Ga з 5% - вим надлишком Sb в атмосфері Н2, в кварцових або графітових контейнерах, після чого GaSb гомогенізують зонною плавкою.
Результати розрахункiв кiнетичних коефіцієнтів InSbhCri з концентрацiєю хрому 0,1 та 0,25 %, виконаних у цiй роботi, добре узгоджуються з наявними експериментальними даними в широких дiапазонах температур i концентрацiй донорних домiшок.
Отриманий результат, на перший погляд, свiдчить про те, що розсiювання вiдбувається на акустичних коливаннях ґратки (r = 0). Саме такий висновок випливав з раннiх робiт з вивчення температурної залежностi рухливостi в n - InSb. При T > 200 K рухливiсть Un ∼ T −1.6, що дуже близько до Un ∼ T−1.5, як це має бути у випадку акустичного розсiювання.
Розрахунок величини рухливостi для розсiювання на акустичних коливаннях дає значення Un = 107 см2 /В·с. Така величезна рухливiсть свiдчить про те, що розсiювання вiдбувається, головним чином, не на акустичних коливаннях. З iншого боку, розсiювання електронiв у даному зразку на оптичних коливаннях ґратки разом з розсiюванням на iонiзованих домiшках та дiрках дає цiлком прийнятнi величини рухливостi при T = 296 К.
ПЕРЕЛІК ПОСИЛАНЬ
1. Абрикосов Н. Х., Колокольцев В. Н., Скуднова Е. В. Влияние легирующих примесей акцепторного и донорного типа на отжиг радиационных дефектов в антимониде галлия / Н. Х. Абрикосов, В. Н. Колокольцев, Е. В. Скуднова // Космическое материаловедение и технология. - М.: Наука, 1977. - С. 90 - 94.
2. Агринская H. B., Машовец T. B. Самокомпенсация в полупроводниках / Н. В. Агринская, Т. В. Машовец // Физ. Техн. Полупр. - 1994. - Т. 28, в. 9. - С. 1505 - 1534.
3. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников: Учеб. пособ. / А.И. Ансельм. – М.: «Наука», 1978. –616 с.
4. Антипов Б. Л., Сорокин В. С., Терехов В. А. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы / Б. Л. Антипов, В. С. Сорокин, В. А. Терехов. – СПб.: Лань, 2003. – 208 с
5. Аскеров Б. М. Кинетические эффекты в полупроводниках / Б. М. Аскеров. — М.: Наука, 1970. — 303 с.
6. Беляков В. А. Жидкие кристаллы / В. А. Беляков. – М.:Знание,1986. – 160 с.
7. Богородицкий Н. П., Пасынков В. В., Тареев Б. Н. Электротехнические материалы / Н. П. Богородицкий, В. В. Пасынков, Б. Н. Тараеев. – Л.: Энергоатомиздат, 1985. – 304 с.
8. Брандт Н. Б., Дмитриев В. В., Ладыгин Е. А., Скипетров Е. П. Влияние давления на электрофизические свойства антимонида индия р - типа, облученного электронами / Н. Б. Брант, В. В. Дмитриев, Е. А. Ладыгин, Е. П. Скипетров // Физика и Техника Полупроводников. - 1987. - Т.21, в.3. - С.514 - 520
9. Брудный В. Н., Колин Н. Г., Смирнов Л. С. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, Л. С. Смирнов // Физика и Техника Полупроводников. - 2007. - Т.41, Вып.9. - С. 1031 - 1040
10. Брудный В. Н. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава / В. Н. Брудный // Дисс. на соискание ученой степени доктора физико - математич. наук. Томск. ТомГУ, 1993. - 383 с.
11. Брудный В. Н., Гриняев С. Н., Колин Н. Г. Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с "предельным" положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III - V / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т.50, №5. - С. 17 – 22.
12. Ван - Флек Л. Теоретическое и прикладное материаловедение / Пер. с анг. О. А. Алексеева. – М.: Атомиздат, 1975. – 472 с.
13. Волькенштейн Ф. Ф. Электропроводность полупроводников Ф. Ф. Волькенштейн. – М.: Гостехиздат, 1947. – 352 с.
14. Воронов С. А., Переверзева Л. П., Поплавко Ю. М. Физическое материаловедение. Часть 1. Перспективные направления материаловедения: / С. А. Воронов, Л. П. Переверзева, Ю. М. Поплавков. Учеб. пособ. - Киев: НТУУ «КПИ», 2004. – 195 с.
15. Горбачев В. В., Спицына Л. Г. Физика полупроводников и металлов: Учебник / В. В. Горбачев, Л. Г. Спицына. – М.: «Металлургия», 1982. – 336 с.
16. Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и металловедение / С. С. Горелик, М. Я. Дашкевич. – М.: Металлургия, 1973. – 496 с.
17. Гроза А. А., Варнина В. И., Литовченко П. Г., Николаева Л. Г., Шматко Г. Г. и др. Структурно - фазовые превращения при термообработке облученного кремния и влияние их на электрофизические свойства и радиационную стойкость //Радиационное материаловедение, Харьков, 1990, № 4, с. 127–133.
18. Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии / А. И. Гусев. – Москва: Физматлит, 2007. – 415 с.
19. Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. - Москва, Физматкнига, 2006. – 494 с.
20. Ивлева B. C., Ольховникова Т. И., Селянина В. И., Фомин В. Г. Влияние некоторых дефектов роста на изменение типа проводимости InSb при термообработке // Электронная техника, серия 6. Материалы. - 1972. - В.1. - С. 71 - 77.
21. Ильинская Л. С., Подмарьков А. Н. Полупроводниковые тензодатчики / Л. С. Ильинская, А. Н. Подмарьков. – М.: «Энергия», 1966. – 120 с.
22. Заячук Д. М. Нанотехнології і наноструктури / Д. М. Заячук: Навч. посібник. – Львів: «Львівська політехніка», 2009. – 580 с.
23. Заячук Д. М. Нанорозмірні структури і надгратки / Д. М. Заячук: Навч. посібник. – Львів, вид. «Львівська політехніка». 2006. – 220 с.
24. Зеегер К. Физика полупроводников /Пер. с англ. К. Зеегер – М.: «Мир», 1977. – 615 с.
25. Каменская И. В. Радиационные дефекты в антимониде галлия / И. В. Каменская // Материалы 8 - ой Международной конференции «Физико - химические процессы в неорганических материалах». Кемерово. - (9 - 12) октября 2001. - Ч.1. - С. 54 - 55
26. Киреев П. С. Физика полупроводников: Учеб. пособ. / П. С. Киреев – М.: «Высшая школа», 1975. – 584 с.
27. Колин Н. Г., Миркурисов Д. И., Соловьев С. П. Электрофизические свойства ядерно - легированного InSb / Н. Г. Колин, Д. И. Миркурисов, С. П. Соловьев // Физ. Техн. Полупров. - 1999. - Т.З, №7 - С. 774 - 777.
28. Колин Н. Г. Ядерное легирование и радиационное модифицирование полупроводников: состояние и перспективы / Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2003. - №6. - С. 12 - 20.
29. Колокольцев B. H. Определение параметров собственных акцепторов в нелегированном GaSb / В. Н. Колокольцев // Изв. АН СССР. Неорганические материалы, - 1978. - Т. 14, №3. - С. 401 - 406.
30. Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности / А. Ф. Кравченко, В. Н. Овсюк. – Новосибирск: Изд - во Новосиб. ун - та, 2000. – 448 с.
31. Лозовский В. Н., Константинова Г. С., Лозовский С. В. Нанотехнология в электронике / В. Н. Лозовский, Г. С. Константинова, С. В. Лозовский. – М.: Изд. «Лань», 2008. – 327 с.
32. Материалы микроэлектронной техники. Под ред. В. М. Андреева. – М.: Радио и связь, 1989. – 350 с.
33. Москалюк В. А., Синекоп Ю. С., Кассинг Р. Физика электронных процессов, часть I / В. А. Москалюк, Ю. С. Синекоп, Р. Кассинг: Учеб. пособ. – Киев, УкрИНТЭИ, 2001.– 148 с.
34. Москалюк В. А. Физика электронных процессов, часть II / В. А. Москалюк: Учеб. пособ. – Киев, Аверс, 2004.– 186 с.
35. Основы материаловедения и технологии полупроводников.: Случинская И. А.:Москва: Мир, 2002, 376 с.
36. Основи технології напівпровідникових матеріалів: Курило І. В., Губа С. К.: Навчальний посібник. Львів: Видавництво Львівської політехніки, 2012. 240 с.
37. Пасынков В. В., Сорокин В. С. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин. – М.: Высшая школа, 1990. – 306 с.
38. Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов / И. Г. Пичугин, Ю. М. Таиров. М.: Высш. шк., 1984. – 288 с.
39. Полякова А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Л. Полякова. – М.: «Энергия», 1979. – 168 с.
40. Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С. М. Рывкин: Монография. – М.: Физматгиз, 1963. – 496 с.
41. Рюле В., Яковец В., Пилкун С. Излучательная рекомбинация с участием акцепторов в GaSb / В. Рюле, В. Яковец, С. Пилкун // Изв. АН СССР. Сер. Физика. - 1973. - Т.37, №3. - С. 570 - 572.
42. Свечников Г. С., Морозовская А. Н. Нанотрубки и графен – материалы электроники будущого / Г. С. Свечников, А. Н. Морозовская. – Киев, Логос, 2009. – 164 с.
43. Скипетров Е. П., Дмитриев В. В., Заитов Ф. А., Кольцов Г. И., Ладыгин Е. А. Электрофизические свойства антимонида индия « - типа, облученного быстрыми электронами / Е. П. Скипетров, В. В. Дмитриев, Ф. А. Заитов, Г. И. Кольцов, Е. А. Ладыгин // Физ. Техн. Полупров. - 1986. - Т.20, №10. - С. 1787 - 1790.
44. Справочник по электротехническим материалам. Т.1 // Под ред. Ю. В. Корецкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Киреева. - Л.: Энерго - атомиздат, 1986. – 307 с.
45. Справочник по электротехническим материалам. Т.2 // Под ред. Ю. В. Корецкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Киреева. - Л.: Энерго - атомиздат, 1987. – 464 с.
46. Справочник по электротехническим материалам. Т.3 // Под ред. Ю. В. Корецкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Киреева. - Л.: Энерго - атомиздат, 1988. – 728 с.
47. Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков. М.: Высш. шк., 1990. – 423 с.
48. Фистуль В. И. Сильно легированные полупроводники. – М.: Наука, 1967. – 416 с.
49. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел (физика химической связи). - М.: Мир, 1983. - Т.1. - 381С.; Т.2. - 332 С. (Пер. с англ. Harrison W.A. Electronic Structure and Properties of Solids (The Physics of the Chemical Bond). San Francisco. W.H. Freeman and Company, 1980).
50. Шалимова К. В. Физика полупроводников / К. В. Шамилова: Учебник. - М.: «Энергоатомиздат», 1985. – 392 с.
51. Шокли У., Рид У. Статистика рекомбинации дырок и электронов / У. Шокли, У. Рид // Полупроводниковые электронные приборы. – М.: ИЛ, 1953. – С. 121 - 140.
52. Эварестов Р. А. Квантовохимические методы в теории твердого тела. - Л.: ЛГУ, 1982. - 279 с.
53. Aukerman L. W. Radiation Effects // Semiconductors and Semimetals / ed. Willardson R. K. and Bear A. C. - N.Y: AP, 1968. - P. 343 - 409.
54. Baramidze N. V., Bonch - Bruevich V. L., Georgadze М. Р, Kurdiani N. I. Electrical Properties of InSb Irradiated with Fast Neutrons // Phys. Stat.Sol.(b). - 1982. - V.110, №1. - P. 33 - 37.
55. Cardona М. Christensen N. E. Acoustic deformation potentials and heterostructure band offsets in semiconductors // Phys. Rev. B. 1987. - V.35, №12. - P. 6182 - 6194.
56. Chadi D. J. Spin - orbit splitting and compositionally disordered semiconductors // Phys. Rev. B. - 1977. - V.16, N2. - P.790 - 796
57. Cleland J. W., Crawford J. H., Jr. Radiation Effects in 1.dium Antimonide // Phys. Rev. - 1954. - V.93, №4. - P. 894 - 895.
58. Gertenberg H., Glaser W. Transmutation doping and lattice defects degenerate InSb // Phys.St.Sol. (a). 1990. - V. 118,№1. - P. 241 - 252.
59. Gossik B. R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons // J.Appl. Phys. - 1959. - V.30, №8. - P. 1214 - 1218.
60. Hari Singh Nalva. Nanostructured materials and nanotechnology. - Academic Press, 2002. – 834 p.
61. Fiedler F., Schlachetzki A., Klein G. Material–selective etching of InP and an InGaAsP alloy // J. Mater. Sci. – 1982. – № 17. – P. 2911 - 2918.
62. Fink T., Osgood R. M. Light - induced selective etching of GaAs in AlGaAs / GaAs heterostructures // J. Electrochem. Soc. – 1993. – Vol. 140, № 4. L73 - L74.
63. Kaiser R., Fan H. Y. Optical and electrical studies of electron bombarded GaSb // Phys. Rev. - 1965. - V.138, №1A. - P. 156 - 161.
64. Koumitzi S. D. Evidence of a radiation induced defect level in n - type InSb // Sol. State Commun. - 1987. - V.64, N8. - P. 1171 - 1173.
65. Leifer H. N., Dunlap W. C. Some properties of p - tipe GaSb between 15 К and 925 К // Phys.Rev. - 1954. - V.95, №1, - P. 51 - 56.
66. Madelung O. Group IV elements, IV - IV and III - V compounds. Part b. Electronic, transport, optical and other properties / O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz. — Berlin: Springer, ¨ 2002. — Vol. 41A1b of Landolt - Bornstein — Group III Con - ¨ densed Matter. — 347 p.
67. Murewala Р. А., Arora В. М., Chadvankar S.S. Low Temperature Electron Irradiation Induced Defects inn - GaSb //Mater.Sci.Forum. - 1986. - V. 10 - 12, №3. - P. 1069 - 1073.
68. Nakashima К. Electrical and optical studies in gallium arsenide // Jap. J. Appl.Phys. - 1981. - V.20, №6. - P. 1085 - 1094.
69. New semiconductor materials. Characteristics and properties [Electronic resource]. — Mode of access: URL: http:// www.ioffe.ru/SVA/NSM/index.html. — Title from the screen.
70. Oszwaldowski М., Berus Т. Effect of tin doping on InSb thin films. // Thin Solid Films. - 1989. - V.172. - P. 71 - 80.
71. Poujade A. M., Albany H. J. Conversion do type n au type p, har irradiation electronique, de Tantimoniure de gallium dope au tellure: etude par conductibilite thermique // C.r. Acod.Sci. - 1970. - V.270, №13. - P. 840 - 873.
72. Stein H. J. Fast Neutron Irradiation of InSb // Bull.Am.Phys.Soc., Ser.II. - 1962. - V.7, №8. - P. 543.
73. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. - John Wiley,1981. – 868 p.
74. Thommen K. Effect of low - temperature electron irradiation on the electrical properties of undoped GaSb // Phys. Rev. - 1967. - V.161, №3, - P. 769 - 778.
75. Thommen К. Energy and orientation dependence of electron - irradiation - induced damage in undoped GaSb // Phys. Rev. - 1968. - V.174, №3, - P. 938 - 945.
76. Van de Walle C. G. and Neugebauer J. Universal alignment of hydrogen levels in semiconductors, insulators and solutions // Nature. - 2003. - V.423, №5. - P. 626 - 628.
77. Waser Rainer. Nanoelectronics and information technology. - WileyVCH, 2005. – 1001 p.
78. White J. G., Roth W. C. Polarity of gallium arsenide single crystals // J. Appl. Phys. – 1959. – Vol. 30. – P. 346 - 347.
79. Williamson J. B., Carey K. W. Dopant - type selective electroless photoetching of Zn - diffused InP and InGaAs/InP heterostructures // J. Electrochem. Soc. – 1993. – Vol. 140, №7. – P. 2125 - 2128.